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本发明公开了一种用于大面积PECVD工艺腔室双层排气结构,主要包括：真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，真空内腔室设置于真空外腔室内；喷淋电极、下电极及基片设置于真空内腔室内，基片位于下电极上且位于喷淋电极下方；真空外腔室和真...
该专利属于北京捷造光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京捷造光电技术有限公司授权不得商用。

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