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本发明涉及低热导率和难熔材料领域，具体为一种(Y1‑xHox)2Si2O7固溶体材料及其制备方法。所合成的(Y1‑xHox)2Si2O7固溶体为从室温到1450℃可稳定存在的γ相，其中x的取值范围为0...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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