温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体量子芯片及其制作方法，方法包括：S1，在衬底(101)上依次生长纯化硅层(102)及二氧化硅层(103)；S2，在二氧化硅层(103)上制作至少五个离子注入区域(200)；S3，对离子注入区域(200)进行离子注入，并进行真空退火...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。