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本发明及一种采用像素型硅传感器的超宽LET探测方法及装置，基于像素型硅传感器的超宽LET探测装置采用2层像素型硅传感器替代多层Si‑pin传感器，并采用优先读出电路实时采集触发时的位置、时间和沉积能量信息，在保证高采样率的同时，能够实时记录...
该专利属于山东航天电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过山东航天电子技术研究所授权不得商用。

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