温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种增强型半导体晶体管及其制备方法。该器件包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极和漏极。外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层和p型氮化物层，以及二次外延氮化物势垒层。通过选区刻蚀，...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。