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本发明提供在通过切克劳斯基法提拉的单晶硅中，在抑制成本增加或制造效率降低的同时可以大幅降低晶体中的碳浓度的单晶硅的制备方法。所述制备方法具备以下步骤：在坩埚3内熔融硅原料M的初期阶段，将加热器3的输出功率设为用于使硅原料全部熔融所需的输出功...
该专利属于环球晶圆日本股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆日本股份有限公司授权不得商用。

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