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本发明一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法包括CdSe/CdS量子点、CdSe/CdS/CdZnS量子点和CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点制备步骤。本发明采用在核壳结构量子点中引入晶格失配比较小的中间层，以及具有成分梯度合...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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