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本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，该制造方法包括：形成至少一个第一空腔，第一空腔自半导体衬底的指定表面延伸至半导体衬底中；形成第一牺牲层，第一空腔被第一牺牲层填满；形成具有第一通道孔的第一结构层，第一结构层覆盖第一牺牲层，每个第一空...
该专利属于武汉耐普登科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉耐普登科技有限公司授权不得商用。

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