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离子注入能量的监测方法和半导体结构技术
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文档序号:21689037
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一种离子注入能量的监测方法和半导体结构,所述离子注入能量的监测方法,在半导体衬底上形成第一阻挡层;在所述第一阻挡层上形成半导体材料层;在所述半导体材料层上形成第二阻挡层;在一待监测注入能量下,在第二阻挡层、半导体材料层和第一阻挡层中注入杂质...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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