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本发明涉及一种TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜及其应用。它是利用磁控溅射技术，制备得到的TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜。TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜由在单晶的硅Si（100）基片上交替沉积TiB2和ZrO2层，TiB2层厚度由上...
该专利属于天津师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津师范大学授权不得商用。

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