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本发明公开一种面向不同领域应用的硅纳米线微结构调控方法，包括如下步骤：(1)使用进行硅片表面亲疏水改性，(2)进行湿法化学刻蚀硅纳米线，(3)硅纳米线表面亲疏水改性处理。本发明通过步骤(1)、(3)达到对硅片及多孔硅纳米线表面亲疏水性改变，...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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