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使半导体装置具有良好的电特性。另外，提供可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层使用金属氧化物的底栅极型晶体管的半导体装置中，金属氧化物包括源极区域、漏极区域、第一区域、第二区域及第三区域。第一区域、第二区域和第三区域都沿着沟道长度方向夹在...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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