温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种含有自建肖特基二极管的三维纵向多次编程存储器（3D‑MTPV）。它含有多个相互垂直堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙的编程膜，多条形成在存储井中的竖直地址线。水平地址线和竖直地址线之间自然形成一肖...
该专利属于杭州海存信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州海存信息技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。