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在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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