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一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法技术方案
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下载一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法的技术资料
文档序号:21609799
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本发明公开了一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法,包括盖板、底座,盖板与底座键合;盖板上表面的两端设置进水口、出水口,盖板中间设置放置芯片的凹槽;底座相应进水口、出水口的位置处设置槽口,底座中间设置流通槽,流通槽横截面呈...
该专利属于杭州臻镭微波技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州臻镭微波技术有限公司授权不得商用。
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