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硅单晶的制造方法技术
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文档序号:21598225
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硅单晶的制造方法,其中,通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的FZ法,培育硅单晶,所述方法实施下述步骤:步骤(S1),利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据;步骤(S2),基于培育实际数据,演算硅单晶的电阻率的实际值与硅单晶的...
该专利属于胜高股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过胜高股份有限公司授权不得商用。
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