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本发明涉及氧化镁基陶瓷制备领域，尤其涉及一种常压烧结下的高致密度氧化镁基陶瓷的制备方法，其特征在于，通过共沉淀的方式将纳米氧化镁包覆在单晶氧化镁表面，压力成型后，经一次烧结、溶胶填充和二次烧结，形成高致密度氧化镁基陶瓷。与现有技术相比，本发...
该专利属于辽宁科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过辽宁科技大学授权不得商用。

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