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本发明公开了GaN功率放大器漏级电源调制芯片的调制方法，属于芯片设计领域。GaN功率放大器漏级电源调制芯片的调制方法，包括：线性稳压器，比较器，电荷泵，大功率N沟道开关管，负电检测控制单元，过温和过压保护单元，供电电源调制单元和输出快速泄放...
该专利属于南京固德芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京固德芯科技有限公司授权不得商用。

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