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本发明公开一种减少翘曲的LED外延生长方法，包括：处理衬底、生长AlzGa1‑zN层、生长AlN层、生长MgAlyGa1‑yN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层，其中，x＝0.20‑0.25，生长P型A...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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