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本发明涉及了一种清洗液，其含有：氟化物、有机胺、烷基多元醇、金属抗蚀剂及水。本发明的清洗液清洗能力强，可有效去除半导体制程过程中等离子刻蚀残留物，尤其是去除铜马士革工艺灰化后残留物，同时能够有效的保护低介电常数low‑k材料(BD1，BD2...
该专利属于安集微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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