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本发明提供一种三氧化钨单晶纳米线的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将透明导电基底置于管式炉低温区，WO2.9原料粉末置于管式炉高温区；(2)对所述管式炉抽真空，从所述高温区通入氧气和氩气的混合气体；(3)在加热条件下进行反应，反应...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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