温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种能提高加工良率的IGBT器件，其包括半导体基板以及元胞区，半导体基板包括第一导电类型漂移区以第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；发射极多晶硅包括发射极第一多晶硅体以及发射极第二多晶硅体，发射极第一多晶硅体填充...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。