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半导体结构和图像传感器的形成方法技术
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文档序号:21516200
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一种半导体结构的形成方法和一种图像传感器的形成方法,其中半导体结构的形成方法包括:提供基底,所述基底包括第一区和第二区;在所述基底表面形成第一掩膜层,所述第一掩膜层内具有暴露出第一区的第一开口以及暴露出第二区的第二开口;在所述第一掩膜层表面...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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