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本实用新型公开了一种光刻掩膜版和SiC结终端结构，所述光刻掩膜版从所述光刻掩膜版的内部到外部依次包括第一不透光区、渐变透光区和第二不透光区，其中，所述渐变透光区包括多个透光点，所述透光点的密度从所述第一不透光区到第二不透光区逐渐降低。本实用...
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