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本发明涉及半导体集成电路芯片等离子体刻蚀领域，具体是公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法。采用超音速火焰喷涂和冷喷涂沉积技术，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的防护涂层。该防护涂层具有双层复合结构：底层为超音速火焰喷涂的沉积A...
该专利属于沈阳富创精密设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳富创精密设备有限公司授权不得商用。

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