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该发明涉及一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，其中所述晶圆刻蚀装置包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不同区...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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