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本发明提供一种提高栅极绝缘层成膜均匀性的方法，使用实验性设计(DOE)方法设计在CVD装置中沉积形成栅极绝缘层的多个测试实验，其中，每一个所述测试实验对应一个与所述栅极绝缘层成膜均匀性有关的相关工艺参数及该相关工艺参数的一组取值，然后执行所...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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