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本发明公开了一种具有良好电流扩展特性的反极性AlGaInP LED芯片及制备方法，该反极性AlGaInP LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P面电流扩展层、发光层、粗化层、N面欧姆接触层、N面扩展电极和焊盘。本发明...
该专利属于南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

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