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本发明提供一种半导体芯片表面钝化保护的多层薄膜结构，包括一半导体硅片衬底，所述半导体硅片衬底的表面由下至上依次设置有第一层SiO2钝化层、第二层PSG钝化层、第三层SiO2钝化层、第四层Si3N4钝化层和第五层PI钝化层，半导体硅片衬底完成...
该专利属于福建安特微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建安特微电子有限公司授权不得商用。

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