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基于一种控制表面电场的硅漂移探测器制造技术
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下载基于一种控制表面电场的硅漂移探测器的技术资料
文档序号:21436107
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本实用新型公开了一种基于一种控制表面电场的硅漂移探测器,包括依次连接的前表面电极、圆柱形n型硅主体和后表面电极;前表面电极包括内部依次嵌套有封闭阴极圆形起点环、内封闭阴极保护环和n+型圆形阳极的第一p+型圆形螺旋阴极环;第一p+型圆形螺旋阴...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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