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一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成牺牲层，所述牺牲层堆叠于所述半导体衬底上；所述牺牲层进行图形化，以在所述牺牲层中形成图案沟槽，所述图案沟槽的底部暴露出所述半导体衬底的表面；对所述牺牲层和所述图案沟槽底部的半导体衬底进行刻...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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