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本发明涉及一种IGBT多时间尺度结温预测模型建模方法。依据不同时间尺度下关注的重点,结合不同时间尺度下IGBT的损耗与传热特征,建立了一种基于损耗与传热特征的IGBT多时间尺度结温预测模型,包括基于半导体物理模型与吸放热定理的短时瞬态微秒级...该专利属于中国人民解放军海军工程大学所有,仅供学习研究参考,未经过中国人民解放军海军工程大学授权不得商用。
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本发明涉及一种IGBT多时间尺度结温预测模型建模方法。依据不同时间尺度下关注的重点,结合不同时间尺度下IGBT的损耗与传热特征,建立了一种基于损耗与传热特征的IGBT多时间尺度结温预测模型,包括基于半导体物理模型与吸放热定理的短时瞬态微秒级...