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本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3...
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