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本发明公开了一种氮掺杂纳米碳插层石墨烯电芯的制作方法，包括以下步骤，在密闭的无尘空间中通过插种设备将纳米级氮掺杂纳米碳与石墨插种，石墨烯是一种真正的表面型材料，理想的单层石墨烯比表面积高达2630m2/g引，而含有缺陷和杂质的比表面积会更大...
该专利属于上海增华电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海增华电子科技有限公司授权不得商用。

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