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本发明公开了一种基于石墨烯pn结的光探测器,其包括:石墨烯层,其包含相互配合形成插指结构的第一区域和第二区域;第一电极图形,其用于在被施加一负电压时使所述第一区域呈p型;第二电极图形,其用于在被施加一正电压时使所述第二区域呈n型;以及,分别...该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种基于石墨烯pn结的光探测器,其包括:石墨烯层,其包含相互配合形成插指结构的第一区域和第二区域;第一电极图形,其用于在被施加一负电压时使所述第一区域呈p型;第二电极图形,其用于在被施加一正电压时使所述第二区域呈n型;以及,分别...