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本发明提供一种沟槽金氧半导体元件及其制造方法，其中所述沟槽金氧半导体元件包括基底、第一介电层、第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极与第二上部电极。基底具有沟槽。沟槽具有彼此相对的第一侧壁与第二侧壁。第一介电层设置于沟槽的表面上。第一介电...
该专利属于力祥半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力祥半导体股份有限公司授权不得商用。

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