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本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低EMI噪声的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：基于常规载流子储存槽栅双极型晶体管(CSTBT)结构，将空穴势垒层结构引入器件，并放置于漂移区结构与发射极结构之间。空穴势垒层结构各个区域均...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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