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本发明提供了一种接触孔结构的制作方法，所述方法包括依次在接触孔内形成硅层、钨成核层和钨主体层，以对所述接触孔进行填充，其中，所述钨成核层通过多个循环反应形成，更有利于控制最终形成的所述钨成核层的形貌，不会出现在接触孔顶部的位置形成的钨成核层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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