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本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底；在衬底上的层间电介质层，层间电介质层具有延伸到衬底的沟槽，沟槽的侧壁上具有第一间隔物层，沟槽中具有彼此间隔开的第一鳍片和第二鳍片，...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。