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本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；CMO...
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