温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，包括以下步骤：步骤一、对碳化硅晶圆进行清洁；步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保护性薄膜；步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄；步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁，并退火的方式制作一层牺牲氧化层；步骤...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。