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本发明提供半导体装置，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；第一沟槽部，其从半导体基板的上表面设置到半导体基板的内部；第二导电型的基区，其以与第一沟槽部邻接的方式设置在半导体基板的上表面与漂移区之间；第一导电型的第一蓄积区，其设置在基...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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