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本发明公开了一种AlN模板、发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。AlN模板包括衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，AlN薄膜包括依次层叠的第一AlN薄膜、插入层和第二AlN薄膜，插入层包括多个AlNO子层，且多个AlNO子层中的氧...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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