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监测晶圆冷却温度的方法技术
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文档序号:21366119
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一种监测晶圆冷却温度的方法,包括:提供第一测试晶圆;在所述第一测试晶圆的表面形成第一绝缘层;对所述第一绝缘层底部的第一测试晶圆进行第一离子注入工艺,在进行第一离子注入工艺的过程中,对第一测试晶圆进行冷却处理工艺;进行所述第一离子注入工艺后,...
该专利属于德淮半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。
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