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本公开涉及一种电子束器件及其制作方法，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/Al...
该专利属于西安众力为半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安众力为半导体科技有限公司授权不得商用。

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