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本发明提供一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器，其拓扑结构包括：电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感；通过半桥支路以及中点连接支路组成T字型的拓扑结构，并且半桥支路中的开关管均采用SiC‑MOSFET，由于SiC‑MOS...
该专利属于沈阳远大电力电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳远大电力电子科技有限公司授权不得商用。

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