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本发明涉及一种垂直LED芯片结构及其制备方法，本发明通过在P型GaN层与金属反射镜之间增加一电流引导层，可以使P极电流通过时按照设定的金属小圆点进行电流流通，均匀的增大了电流密度，同时该电流引导层有SiO2薄膜，既能阻挡电流通过又能避免金属...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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