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本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上；应力释放层包括依次层叠的多个复...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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