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本发明提供了一种具有纳米网状结构的深紫外LED外延片、器件及其制备方法，该LED器件包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上依次形成的AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、P型GaN层，所述N型AlGaN层的刻蚀外露部分上形成有第一...
该专利属于湖北深紫科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北深紫科技有限公司授权不得商用。

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