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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和凸出于衬底的鳍部，鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；在鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；在第一衬垫层表面、鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在衬...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。